دکتر افشین رشید
دکتر افشین رشید متولد ۱۶ فروردین ۱۳۶۸ در تهران ، اُستادیار (گروه برق _ اَفزاره های میکرو و نانو اِلکترونیک) عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران میباشد .
درباره من
اطلاعات شخصی
- نام : افشین
- نام خانوادگی: رشید
- متولد : 16 فروردین 1368
- اُستاد دانشگاه
- آدرس : دانشکاه آزاد واحد علوم و تحقیقات تهران
- تلفن : 09963066065
- ایمیل : dr.afshin_rashid@yahoo.com
- زبان: انگلیسی ، فارسی
مهارت های من
افتخارات 🏆
"مخترع برتر جهان" در سال 2024
"دانشمند دو درصد برتر جهان"
"دانشمند دو درصد برتر جهان"
نمونه کارهای من
نظرات مشتریان
Dr. Afshin Rashid, born on April 5, 1989 in Tehran, is an assistant professor (Electrical Department – Micro and Nanoelectronic Devices) and a member of the faculty of Islamic Azad University, Tehran Science and Research Branch; he has 21 conference papers in the country and more than 356 ISI articles in international magazines and journals abroad. His published articles are mostly on the specialized topics ofnanoelectronics, nanotransistors, electric nanochips, electronic nanowires, andmicro and nanoelectronicdevices. He has also twice won the title of “Top 2% Scientist in the World” from the Elsevier Publishing House in 2023 and 2025. He is one of the distinguished and valuable scientific figures of “Iran and the World” and has the highest number of citations of scientific articles among Iranian scientists in the field of “micro and nanoelectronic devices” at the international level. There are many books, articles, and conferences focusing onnanoelectronic technology from him, and an amazing invention in the field of nanotechnology, which is also a unique scientific invention including (the most significant theory of internal system change and redesign of electronic nanosensors CDSE).
مقالات کنفرانس های داخلی :
کنتاکتور ها کلید های الکترومغناطیسی در تابلو برق صنعتی و ماشین های صنعتی ؛ ارائه شده در پانزدهمین کنفرانس ملی پژوهش های کاربردی در علوم برق ،کامپیوتر و مهندسی پزشکی (1402)خلاصه عملکرد مقالات ISI
نمودار مقالات Google Scholar
علم سنجی مقالات بر حسب استاندارد مجلات ISI
علم سنجی مقالات ISI
علم سنجی مقالات بر حسب استاندارد مجلات ISI
بازخورد بينالمللي مقالات ISI
فهرست مقالات :
لیست کتاب های منتشر شده
کتاب ریز فناوری ها
کتاب ریز فناوری ها برگرفته از اعصاب مغز انسان نوشتهی افشین رشید، به مبحث MEMSها میپردازد. MEMS یک فناوری است که اجازه توسعه محصولات هوشمند، تکمیل توانایی محاسباتی میکرو الکترونها با در نظـــر گـــرفتن قابلیتهـــای میکروسنـــسورها و میکرو محرک هـا و توســعه فــضای ممکـن طراحــی و استفاده را می دهد.
لیست جزوات
جزوه نانو چیپ های اِلکتریکی
مواد تشکیل دهنده بیشتر چیپ ها و نانو چیپ ها سیلیکون میباشد . با اعمال ولتاژ مناسب (ولتاژ آستانه) به محلول سیلیکونی، نیروی دافعه بر کشش سطحی سیلیکون غلبه کرده و جت تشکیل می شود.
جزوه نانو لیزر ها
جزوه نانو لیزرها نوشتهی افشین رشید، به طور کامل به مبحث نانو لیزرها میپردازد. نانو لیزرها رویکردی جدید و جالب در علوم نانو میباشند و در زمینههای عمومی، پزشکی و نظامی کاربرد دارند.
جزوه نانو ماشین های الکتریکی
در مقیاس ماکرو مولکولی ساختن یک کپی خیلی ساده تر از ساختن ماشینی است که بتواند خودش را کپی کند اما در تراز مولکولی این مساله واژگونه است؛ یعنی ساختن ماشینی که بتواند خود را کپی کند کار را برای ما بارها ساده تر از ساختن ماشین دیگر می کند و این مهم ترین کاربرد نانو اَسمبلر می باشد.
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403) 
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
مقالات کنفرانس های داخلی :
بازخورد بينالمللي مقالات ISI
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
-
Review of: "The internal Structure and Structure of "Nano-Spin Electrons" of inactive Electronic Nanoparticles , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۵۱ , No ۳۳ , (European Union Country)
-
Review of: ""Nano-Spin Electrons" Electrically Conductive, Magnetic Nanoparticles , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۵۰ , No ۳۲ , (European Union Country)
-
Review of: "“Nano-Spin Electrons” (More Readily Available) Electronic Quantum Nanoparticles , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۹ , No ۳۱ , (European Union Country)
-
"Review of: "Investigating The Catalytic Properties of Nanoparticles and increasing Their Multi-fold Power in Electronic Conduction , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۹ , No ۳۱ , (European Union Country)
-
Review of: "Investigating (Coordination-Suspension) Bonds in The Simulation Process (Electric Nanoparticles) , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۸ , No ۳۰ , (European Union Country)
-
"Review of: "Investigating The Properties or Methodology (Electric Nanoparticles) in The Simulation Process Nanoparticle Methodology , , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۷ , No ۲۹ , (European Union Country)
-
Review of: "Investigation of The Structure of Electromagnetic Nanoparticles (Multifunctional) and The Paramagnetic , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۶ , No ۲۸ , (European Union Country)
-
Review of: "Changing The Chemical Structure and The Effect of Reaction Temperature on The Size and Structure of , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۵ , No ۲۷ , (European Union Country)
-
Review of: the activity of nanoparticles up to ۱۰۰nm in the construction of systems ( Nano and micro electricaland mechanical MEMS)will be impressive , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
-
Review of: (Electrical Nanoparticles) Coating Agent or Stabilizer of The Simulation Process in Nanoelectronics , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
-
Review of: "(Uranium-۲۳۸ is Not Capable of Fission) to Produce Unlimited Electrical Energy , , ۲۰۲۵ , Chinese Journal of Electrical Engineering | 京ICP备۰۵۰۵۵۷۸۸号-۴۲ :
-
Review of: "(Molecular Nanomemory) Storing information Using Nickel Quantum Dots at Nanometer Sizes , American Journal of Electrical and Electronic Engineering ؛ volume ۶۲ ، part ۲۴ ؛ ۲۰۲۵ _ United States of America
بازخورد بينالمللي مقالات ISI
روند مقالات Web of Science (ISI)
مقالات کنفرانس های داخلی :
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
-
Review of: "The internal Structure and Structure of "Nano-Spin Electrons" of inactive Electronic Nanoparticles , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۵۱ , No ۳۳ , (European Union Country)
-
Review of: ""Nano-Spin Electrons" Electrically Conductive, Magnetic Nanoparticles , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۵۰ , No ۳۲ , (European Union Country)
-
Review of: "“Nano-Spin Electrons” (More Readily Available) Electronic Quantum Nanoparticles , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۹ , No ۳۱ , (European Union Country)
-
"Review of: "Investigating The Catalytic Properties of Nanoparticles and increasing Their Multi-fold Power in Electronic Conduction , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۹ , No ۳۱ , (European Union Country)
-
Review of: "Investigating (Coordination-Suspension) Bonds in The Simulation Process (Electric Nanoparticles) , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۸ , No ۳۰ , (European Union Country)
-
"Review of: "Investigating The Properties or Methodology (Electric Nanoparticles) in The Simulation Process Nanoparticle Methodology , , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۷ , No ۲۹ , (European Union Country)
-
Review of: "Investigation of The Structure of Electromagnetic Nanoparticles (Multifunctional) and The Paramagnetic , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۶ , No ۲۸ , (European Union Country)
-
Review of: "Changing The Chemical Structure and The Effect of Reaction Temperature on The Size and Structure of , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۵ , No ۲۷ , (European Union Country)
-
Review of: the activity of nanoparticles up to ۱۰۰nm in the construction of systems ( Nano and micro electricaland mechanical MEMS)will be impressive , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
-
Review of: (Electrical Nanoparticles) Coating Agent or Stabilizer of The Simulation Process in Nanoelectronics , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
-
Review of: "(Uranium-۲۳۸ is Not Capable of Fission) to Produce Unlimited Electrical Energy , , ۲۰۲۵ , Chinese Journal of Electrical Engineering | 京ICP备۰۵۰۵۵۷۸۸号-۴۲ :
-
Review of: "(Molecular Nanomemory) Storing information Using Nickel Quantum Dots at Nanometer Sizes , American Journal of Electrical and Electronic Engineering ؛ volume ۶۲ ، part ۲۴ ؛ ۲۰۲۵ _ United States of America
-
Review of: "The internal Structure and Structure of "Nano-Spin Electrons" of inactive Electronic Nanoparticles , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۵۱ , No ۳۳ , (European Union Country)
-
Review of: ""Nano-Spin Electrons" Electrically Conductive, Magnetic Nanoparticles , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۵۰ , No ۳۲ , (European Union Country)
-
Review of: "“Nano-Spin Electrons” (More Readily Available) Electronic Quantum Nanoparticles , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۹ , No ۳۱ , (European Union Country)
-
"Review of: "Investigating The Catalytic Properties of Nanoparticles and increasing Their Multi-fold Power in Electronic Conduction , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۹ , No ۳۱ , (European Union Country)
-
Review of: "Investigating (Coordination-Suspension) Bonds in The Simulation Process (Electric Nanoparticles) , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۸ , No ۳۰ , (European Union Country)
-
"Review of: "Investigating The Properties or Methodology (Electric Nanoparticles) in The Simulation Process Nanoparticle Methodology , , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۷ , No ۲۹ , (European Union Country)
-
Review of: "Investigation of The Structure of Electromagnetic Nanoparticles (Multifunctional) and The Paramagnetic , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۶ , No ۲۸ , (European Union Country)
-
Review of: "Changing The Chemical Structure and The Effect of Reaction Temperature on The Size and Structure of , European Journal of Electrical Engineering (EJEE) , ۲۰۲۵ , Vol ۴۵ , No ۲۷ , (European Union Country)
-
Review of: the activity of nanoparticles up to ۱۰۰nm in the construction of systems ( Nano and micro electricaland mechanical MEMS)will be impressive , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
-
Review of: (Electrical Nanoparticles) Coating Agent or Stabilizer of The Simulation Process in Nanoelectronics , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
-
Review of: "(Uranium-۲۳۸ is Not Capable of Fission) to Produce Unlimited Electrical Energy , , ۲۰۲۵ , Chinese Journal of Electrical Engineering | 京ICP备۰۵۰۵۵۷۸۸号-۴۲ :
-
Review of: "(Molecular Nanomemory) Storing information Using Nickel Quantum Dots at Nanometer Sizes , American Journal of Electrical and Electronic Engineering ؛ volume ۶۲ ، part ۲۴ ؛ ۲۰۲۵ _ United States of America
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- "Review of: "Nano Lasers (Femtosecond) or Fluid Structure and Function , Nature British scientific journal (۲۰۲۵) , Vol ۱۴۱ , No ۸۸ (London, England)
- Review of: "Many types of electrical nano-sensors using CP nanomaterials designed for nano-biological applications , Journal Electronic Elsevier Bv {Netherlands} , (۲۰۲۳) , Vol ۲۰۷ , No : ۱۹
- Review of: "The main objectives of the development of nano-electromechanical systems (MEMS) - the definition of four main and general objectives , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- Structural, electronic properties of Fulleren C۹۰ in single-walled carbon nanotubes (SWCNT) , Ieee Canadian Journal Of Electrical And Computer Engineering (۲۰۲۵), Vol ۲۱ , No : ۲۹ , (Edmonton _ Canada)
- Selective scattering of SWCNTs using aromatics Dense benzoids such as pentacene, anthracene, and quaterylene have been propagated , Authorea, Inc., Journal of Electrical Electronics Engineering(JEEE) , (۲۰۲۵) , Vol ۹ , No : ۱۴ , (San Francisco university)
- Review of: (Electrical Nanoparticles) Electrostatic interaction of Graphene Nanoparticles , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- "Review of: "The Amount of Thorium and Uranium-۲۳۵ isotopes in The Nuclear Fuel Must be increased so That the Thermal Neutron Can Collide With the Water Before it is Absorbed and a Nuclear Reaction Can Occur , ۲۰۲۵ , Chinese Journal of Electrical Engineering | 京ICP备۰۵۰۵۵۷۸۸号-۴۲
- Nano-plasmonic and nanoelectronic pattern is one of the miniaturization techniqu , International Information and Engineering Technology Association , ۲۰۲۴ , Vol ۱۵ , No ۱۲ , (Edmonton _ Canada)
- Micro-vibrations in Current Nanocommunication Signals , Journal of Electrical Electronics Engineering (JEEE) , (۲۰۲۵) , Vol ۹ , No : ۲۶ , (San Francisco university)
- "Review of: "Among The Various Types of Gas Nanolasers, Carbon Nanolasers Have The Highest Average Power Among Gas Lasers , European Journal of Electrical Engineering and Computer Science (EJECE) , ۲۰۲۵ , Vol ۲۵ , No ۲۹, (London _ United Kingdom)
- Review of: wire bonding in (nano and microelectric and mechanical MEMS ) systems , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- Nano Fluorine Molecule can be used for Storage in Nano Supercapacitors and Confinement of Non-Carbon Atoms Nature Reviews Microbiology Journal , ۲۰۲۴ , Vol ۱۷ , No ۲۹ , (London _ United Kingdom) ,
- "Review of: "For Each Uranium Nucleon, one Mev of Binding Energy is Released. Now, if This Reaction is Carried out on One kilogram of ۲۳۵U, the Energy Obtained will Be Equivalent to ۲۰×۱۰۶ kWH. , ۲۰۲۵ , Chinese Journal of Electrical Engineering | 京ICP备۰۵۰۵۵۷۸۸号-۴۲
- Genome Nano Biochip , a Bioelectronic and Microarray Device , European Journal of Electrical Engineering and Computer Science (EJECE) , ۲۰۲۴ , Vol ۹ , No ۸ , (London _ United Kingdom)
علم سنجی بر حسب استاندارد مجلات ISI :
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- Nanobots as a Controllable Nanoscale Device Consisting of a Biological Fluid Nanobiosensor and a Motor , Journal of the Brazilian Society of Mechanical Sciences and Engineering , ۲۰۲۵ , Vol ۴۳ , No: ۲۱ (Rio De Janiero _ Brazilian)
- Buckminster Fullerene Explanation From The Point Of View Of Nanoscience And Nanoelectronics",, Nature British scientific journal (۲۰۲۵) , Vol ۱۳۶ , No ۸۸ (London, England)
- organic light-emitting diodes with long life and high performance, and fullerene molecules can be filled by other elements , Nature Nanotechnology Journal , ۲۰۲۳ , Vol ۰۸ , No ۰۹ , (London _ United Kingdom)
- Storage in nanotubes, every three carbon atoms can store one lithium ion, while in graphite, all six carbon atoms can store one lithium ion , , Mexicanos (Electronic journal) , No ۴۸ , Vol ۵۷ , ۲۰۲۳ (Mexico _ universities in Bogotá)
- "Nano-Biosensors and Nano-Biochips in Moving Nano-Particle Molecules Through Dielectric Enhancement Through Vertical Nano-gap Architectures", Electronic Journal scince , (Stanford University , California) , (۲۰۲۴) , Vol ۹ , No : ۵
- Review of: Usually the genomic DNA of a circular single-stranded nucleotide Nano Bots (Nano bio Robot as a scaffold used and hundreds of short auxiliary called the punch for the latest Scaffolding longer specific structure is used , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- "Review of: "The reason for the nanolaser in industry is its significant use compared to other traditional laser manufacturing and production methods , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- "Review of: "Electronics and classification based on the wavelength of the output beam and the wavelength of the exit beam from the nanolaser , , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- organic light-emitting diodes with long life and high performance, and fullerene molecules can be filled by other elements , International Information and Engineering Technology Association , ۲۰۲۴ , Vol ۱۸ , No ۲۱ , (Edmonton _ Canada)
- In non-carbon fullerenes, other elements create a structure similar to fullerenes, the chemical structure of these fullerenes is often metal oxide, vanadium oxide is one of them. , International Information and Engineering Technology Association , ۲۰۲۴ , Vol ۱۷ , No ۱۹ , (Edmonton _ Canada)
- Multilayer fullerenes consist of several fullerenes that are inside each other. For this reason, this structure is also called nano onion Nature Nanotechnology Journal , ۲۰۲۴ , Vol ۱۰ , No ۱۱, (London _ United Kingdom) ,
- Pressing on the tip of the nanotube causes it to bend, but without damaging the tip. When the force is removed, the tip returns to its original position , , Mexicanos (Electronic journal) , No ۵۱ , Vol ۶۲ , ۲۰۲۳ (Mexico _ universities in Bogotá)
- Review of: Lindemann's Change in The Structure and Structure of Nano Materials Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- Review of: "Wireless connection between Nano Bio sensors , , Ieee Canadian Journal Of Electrical And , Computer Engineering (۲۰۲۳) , Vol ۱۸ , No : ۲۹ , (Edmonton _ Canada)
- Storage in nanotubes, every three carbon atoms can store one lithium ion, while in graphite, all six carbon atoms can store one lithium ion , , Mexicanos (Electronic journal) , No ۴۸ , Vol ۵۷ , ۲۰۲۳ (Mexico _ universities in Bogotá)
- "Review of: "In Order To Be Usable, Nano Antennas Need to Have a Very High Operating Frequency ( The Resonance Frequency of Graphene-Based Nano Antennas ) , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- Review of: wire bonding in (nano and microelectric and mechanical MEMS ) systems , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- Review of: "Nano-Assemblers Can include Nano-Transistors and Nano-Diodes or Even Components of Nano-Robots, Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- Nanobots as a Controllable Nanoscale Device Consisting of a Biological Fluid Nanobiosensor and a Motor , Journal of the Brazilian Society of Mechanical Sciences and Engineering , ۲۰۲۵ , Vol ۴۳ , No: ۲۱ (Rio De Janiero _ Brazilian)
- Buckminster Fullerene Explanation From The Point Of View Of Nanoscience And Nanoelectronics",, Nature British scientific journal (۲۰۲۵) , Vol ۱۳۶ , No ۸۸ (London, England)
- organic light-emitting diodes with long life and high performance, and fullerene molecules can be filled by other elements , Nature Nanotechnology Journal , ۲۰۲۳ , Vol ۰۸ , No ۰۹ , (London _ United Kingdom)
- Storage in nanotubes, every three carbon atoms can store one lithium ion, while in graphite, all six carbon atoms can store one lithium ion , , Mexicanos (Electronic journal) , No ۴۸ , Vol ۵۷ , ۲۰۲۳ (Mexico _ universities in Bogotá)
- "Nano-Biosensors and Nano-Biochips in Moving Nano-Particle Molecules Through Dielectric Enhancement Through Vertical Nano-gap Architectures", Electronic Journal scince , (Stanford University , California) , (۲۰۲۴) , Vol ۹ , No : ۵
- Review of: Usually the genomic DNA of a circular single-stranded nucleotide Nano Bots (Nano bio Robot as a scaffold used and hundreds of short auxiliary called the punch for the latest Scaffolding longer specific structure is used , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- "Review of: "The reason for the nanolaser in industry is its significant use compared to other traditional laser manufacturing and production methods , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- "Review of: "Electronics and classification based on the wavelength of the output beam and the wavelength of the exit beam from the nanolaser , , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- organic light-emitting diodes with long life and high performance, and fullerene molecules can be filled by other elements , International Information and Engineering Technology Association , ۲۰۲۴ , Vol ۱۸ , No ۲۱ , (Edmonton _ Canada)
- In non-carbon fullerenes, other elements create a structure similar to fullerenes, the chemical structure of these fullerenes is often metal oxide, vanadium oxide is one of them. , International Information and Engineering Technology Association , ۲۰۲۴ , Vol ۱۷ , No ۱۹ , (Edmonton _ Canada)
- Multilayer fullerenes consist of several fullerenes that are inside each other. For this reason, this structure is also called nano onion Nature Nanotechnology Journal , ۲۰۲۴ , Vol ۱۰ , No ۱۱, (London _ United Kingdom) ,
- Pressing on the tip of the nanotube causes it to bend, but without damaging the tip. When the force is removed, the tip returns to its original position , , Mexicanos (Electronic journal) , No ۵۱ , Vol ۶۲ , ۲۰۲۳ (Mexico _ universities in Bogotá)
- Review of: Lindemann's Change in The Structure and Structure of Nano Materials Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- Review of: "Wireless connection between Nano Bio sensors , , Ieee Canadian Journal Of Electrical And , Computer Engineering (۲۰۲۳) , Vol ۱۸ , No : ۲۹ , (Edmonton _ Canada)
- Storage in nanotubes, every three carbon atoms can store one lithium ion, while in graphite, all six carbon atoms can store one lithium ion , , Mexicanos (Electronic journal) , No ۴۸ , Vol ۵۷ , ۲۰۲۳ (Mexico _ universities in Bogotá)
- "Review of: "In Order To Be Usable, Nano Antennas Need to Have a Very High Operating Frequency ( The Resonance Frequency of Graphene-Based Nano Antennas ) , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- Review of: wire bonding in (nano and microelectric and mechanical MEMS ) systems , Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- Review of: "Nano-Assemblers Can include Nano-Transistors and Nano-Diodes or Even Components of Nano-Robots, Qeios Ltd , (۲۰۲۵) , ISSN ۲۶۳۲-۳۸۳۴ , (London England)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- Review of: "Development Goals of Nanoelectronic Systems (NEMS) Such as Nanocomputers , , Qeios Ltd , (2025) , ISSN 2632-3834 , (London England)
- "Electric Nano Biochips (Nano Biochip) in identification and Decoding (RNA _ DNA)", Electronic Journal scince , (Stanford University , California) , (2024) , Vol 1 , No : 7
- Electrical Nanobiosensors and Help in The Detection of Radiation and Biological Toxins , ResearchHub Technologies, Inc., (2025), Vol 39 , No : 31 , (University of Auckland _ New Zeland)
- Review of: "Placement of Proper Rectifier in The Place of Nano Antenna Feed Gap , , Qeios Ltd , (2025) , ISSN 2632-3834 , (London England)
- (Nanocommunications) Short pulse modulation techniques in the time domain", Electronic Journal Elsevier BV {Netherlands} , (2025) , Vol 51 , No : 92
- Review of: Nano Bots assembly of DNA on the DNA origami method of DNA origami, , Qeios Ltd , (2025) , ISSN 2632-3834 , (London England)
- Placement of Rectenna Suitable in ،The Feed Slot Location Electric Nano Antenna Rectenna", European Journal of Electrical Engineering and Computer Science (EJECE) , 2023 , Vol 7 , No 5, (London _ United Kingdom)
- Sensors made from single-walled nanotubes have high sensitivity and also have a fast response at room temperature , Nature British scientific journal (2025) , Vol 156 , No 96 , (London, England)
- Definition of (Nanocommunication): Communication Between Two Nanoparticles Through Chemical Signaling", Electronic Journal Elsevier BV {Netherlands} , (2025) , Vol 51 , No : 93
- "Review of: "Nano Laser Pulse Structure and Function , Nature British scientific journal (2025) , Vol 143 , No 91 (London, England) :
- Review of: "Common Nanoelectronic Technologies in (Quantum Nano Memories)"", The Huffington Post Journal , Inc. (London _ England) , (2025) , Vol 63 , No : 34
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- فناوری های رایج نانو الکترونیک در (نانو حافظه های کوانتومی) ؛ ارائه شده در سومین همایش بین المللی نوآوری در مهندسی برق و مهندسی رایانه (۱۳۹۸)
- آنتن های میکرو استریپ (برای برنامه های کاربردی با مشخصات کم در فرکانس های بالای ۱۰۰ مگاهرتز) ؛ ارائه شده در ششمین کنفرانس پردازش سیگنال و سیستم های هوشمند (۱۳۹۹)
- کاربرد و معرفی نانو ترانزیستور اثر میدانی با آنگستروم (۱۴۶/۰ نانو متر) ؛ ارائه شده در پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق، الکترونیک و شبکه های هوشمند (۱۳۹۹)
- معرفی روشی برای تحقیق در مورد عملکرد نانو سیستم ها و امکان بهبود خواص الکتریکی-نوری قطعات الکترونیکی ؛ ارائه شده در اولین کنفرانس بین المللی مهندسی برق ؛ کامپیوتر ؛ مکانیک و هوش مصنوعی. (۱۴۰۰)
- بهبود تولید انرژی سیستم های فتوولتائیک (PV) خورشیدی بر روی بام ها ؛ ارائه شده در هفتمین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق (۱۴۰۱)
- نانو الکترونیک مولکولی مصنوعی مهمترین و بزرگترین دستاورد در نانو تکنولوژی الکترونیک ؛ ارائه شده در سی امین کنفرانس بین المللی مهندسی برق ایران (۱۴۰۱)
- نانو ابر خازن ها Nano cloud capacitor و خاصیت ذخیره جریان الکتریکی ؛ ارائه شده در نهمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق ؛ الکترونیک و شبکه های هوشمند (۱۴۰۱)
- نانو الکترونیک مولکولی اساس و پایه نانو مدار ها و ساختن نانو تراشه های الکترونیکی و نانو ترانزیستور ها ؛ ارائه شده در چهارمین کنفرانس بین المللی یافته های پژوهشی در مهندسی برق ، کامپیوتر و مکانیک (۱۴۰۲)
- بررسی پیوند های نوین بین نانو الکترونیک و نانو ربات های بیو _ الکترونیکی ؛ ارائه شده در دهمین کنفرانس بین المللی هوش مصنوعی و رباتیک (۱۴۰۲)
- پیوند های نوین صنایع الکترونیک با نانو لیزر های الکتریکی ؛ ارائه شده در دهمین کنگره ملی تازه های مهندسی برق و کامپیوتر ایران (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
- شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (۱۴۰۳)
- (نانو ترانزیستور) و خواص گرافن مانند مبویلیتی الکترونی و هدایت حرارتی بالا، مقاومت در برابر شکست (۱۴۰۳)
- مشخصه یابی سیستمهای چند لایه ای Si /Gi در زمینه تاثیر ولتاژ بایاس منفی بر بهبود خواص نانو الکتریکی و ساختاری سد نفوذی لایه اسپاترنیگ Taدر سیستم Si/Ta (نانو ترانزیستور) (۱۴۰۳)
- ساختار و ساختمان نانو ابر خازن ها بر پایه نانو الکترونیک ۱۰۰ برابر بار بیشتری نسبت به انواع الکترولیت (۱۴۰۲)
- نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها(۱۴۰۲)
- روش الگوسازی نانو لیتوگرافی UV در ساخت ادوات و افزاره های نانو الکترونیک (بیشتر ادوات نانو نوری) طول موج حدود ۴۰۰ نانومتر (۱۴۰۲)
- تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (۱۴۰۲)
- (نانو ترانزیستور های) لوله ای ۳ بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (۱۴۰۲)
- نانو بیو سنسورها بر پایه نانو الکترونیک در پژوهش های بیولوژیک (فناوری ساخت حسگرهای زیستی و دانش تولید نانومتری) (۱۴۰۲)
- تغییر لیندمان در نانو ساختار ها برای دستیابی به ادوات و افزاره های جدید نانو الکترونیکی (۱۴۰۲)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
مقالات کنفرانس های داخلی :
علم سنجی مقالات ISI
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
مقالات کنفرانس های داخلی :
همکاري بينالمللي مقالات Web of Science (ISI)o
مقالات کنفرانس های داخلی :
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
همکاري بينالمللي مقالات Web of Science (ISI)o
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
مقالات کنفرانس های داخلی :
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
علم سنجی مقالات بر حسب استاندارد مجلات ISI
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
علم سنجی مقالات بر حسب استاندارد مجلات ISI
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
همکاري بينالمللي مقالات Web of Science (ISI)o
همکاري بينالمللي مقالات Web of Science (ISI)o
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
همکاري بينالمللي مقالات Web of Science (ISI)o
همکاري بينالمللي مقالات Web of Science (ISI)o
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
مقالات کنفرانس های داخلی :
علم سنجی مقالات ISI
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
طرح های تحقیقاتی اجرا شده :
شکست ولتاژ بهمن در مقابل شکست (دیود زنر) _ خرابی بهمن و شکست ولتاژ زنر دو مکانیسم متمایز (1403)
نانو سیم های نقره و نهایت سرعت انتقال الکترون ها (1402)
تکثیر و تکامل (نانو ترانزیستورهای اثر میدانی) نتایج حاصل از تجربیات آزمایشگاهی (1402)
(نانو ترانزیستور های) لوله ای 3 بعدی (داشتن فرکانس آستانه و همچنین تحرک پذیری بیشتر) (1402)
مقالات کنفرانس های داخلی :
مقالات کنفرانس های داخلی :
علم سنجی مقالات ISI
همکاري بينالمللي مقالات Web of Science (ISI)o
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات مهمترین واحد دانشگاهی جامع در کشور با اعتبار جهانی و مبتنی بر هویت ایرانی- اسلامی خواهد بود که در راستای تولید، توسعه و انتقال علم و فناوری با ارائه خدمات آموزشی و پژوهشی در حل مسایل اساسی جامعه و توسعه پایدار آن گام بر میدارد.
این واحد دانشگاهی با هدف ارتقاء کمی و کیفی آموزش و پرورش در راستای اداره علمی امور کشور و اعتلای نام جمهوری اسلامی ایران به وجود آمده است. این مرکز دانشگاهی، طیف وسیعی از برنامههای آموزشی را در مقاطع کارشناسی، کارشناسیارشد و دکتری به ویژه در تحصیلات تکمیلی برای دانشجویان داخلی، منطقهای و بینالمللی ارائه و زمینههای لازم را برای گذراندن فرصتهای مطالعاتی اساتید سایر دانشگاههای داخلی و خارجی همچنین برقراری دورههای فوق دکتری فراهم میسازد.
واحد علوم و تحقیقات با ایجاد شبکهای در سطح کشور در صدد گسترش برنامههای خود با سرعت و در پهنه وسیعتری بوده و سعی بر برقراری ارتباط با مراکز تحقیقاتی و مطالعاتی و همچنین دانشگاههای معتبر دنیا به منظور تربیت و پرورش نیروی انسانی متخصص و مسئولیتپذیر نسبت به جامعه دارد.
